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FET，MOSFET - 单个
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IXTT48P20P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PolarP™
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
85 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
103nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
462W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
商品其它信息
优势价格，IXTT48P20P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP110,115
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
暂无价格
参考库存:38576
IPD60R520C6ATMA1
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FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
暂无价格
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IPB260N06N3GATMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
暂无价格
参考库存:38592
IRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
暂无价格
参考库存:38608
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
暂无价格
参考库存:38616
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