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FET,MOSFET - 单个
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CSD17581Q5A

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
24A(Ta),123A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
3.4 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
54nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3640pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta), 83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
优势价格,CSD17581Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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