SIJ188DP-T1-GE3原装正品_SIJ188DP-T1-GE3代理现货_Vishay Siliconix_诚思涵芯城

您好！欢迎来到诚思涵芯城登录注册

产品分类

首页商品目录品牌专区 BOM配单品牌入驻自营现货

FET，MOSFET - 单个

SIJ188DP-T1-GE3参考图片

图片仅供参考，请参阅产品规格

分享到：
0

SIJ188DP-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
PDF下载:

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

*联系人：
*电话：
QQ：
*邮箱：

公司名：微信：

库存：31,944(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

PDF资料下载
SIJ188DP-T1-GE3 PDF资料下载

参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	TrenchFET® Gen IV
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	25,5A（Ta）, 92,4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	7.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	3.85 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	44nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1920pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），65.7W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

商品其它信息

优势价格，SIJ188DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	IRFH7191TRPBF	Infineon Technologies	FET，MOSFET - 单个	PDF数据手册	MOSFET N-CH 100V 15A	暂无价格	参考库存:40248
	PMZB790SN,315	Nexperia USA Inc.	FET，MOSFET - 单个	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN	暂无价格	参考库存:40256
	GP1M016A025CG	SemiQ	FET，MOSFET - 单个	PDF数据手册	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK	暂无价格	参考库存:40264
	BSD816SNL6327HTSA1	Infineon Technologies	FET，MOSFET - 单个	PDF数据手册	MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363	暂无价格	参考库存:40272
	IRLMS2002GTRPBF	Infineon Technologies	FET，MOSFET - 单个	PDF数据手册	MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP	暂无价格	参考库存:40280

一站式采购
正品保障
价格优势
闪电发货

品质赢未来，时效出高芯，服务促进步

最新动态
企业动态
产品动态

深圳诚思涵科技有限公司

电话：0755-83015506

手机：15820783671

传真：0755-82815131

Email：sas1988@163.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

微信联系我们

Copyright © 2010-2022 深圳诚思涵科技有限公司粤ICP备16094610号