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FET，MOSFET - 单个
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FDME910PZT

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  • MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
24 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2110pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MicroFet 1.6x1.6 薄型
封装/外壳
6-PowerUFDFN
商品其它信息
优势价格，FDME910PZT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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