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IRF7401TRPBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	HEXFET®
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	22 毫欧 @ 4.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	48nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1600pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

商品其它信息

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