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BSC16DN25NS3GATMA1

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	OptiMOS™
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	165 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 32µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11.4nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	920pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	62.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-5
封装/外壳	8-PowerTDFN

商品其它信息

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