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FET，MOSFET - 单个
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EPC2206

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  • GANFET N-CH 80V 90A DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
2.2 毫欧 @ 29A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 13mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
19nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1940pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9MJJ-55PSS/A,51
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
55V N CH TRENCHFET
暂无价格
参考库存:49527
IPC60R070CFD7X7SA1
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MOSFET N-CH HI POWER WAFER
暂无价格
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HUF75542P3
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MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
暂无价格
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TSM2NB65CP ROG
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MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252
暂无价格
参考库存:49565
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