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SIR438DP-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	TrenchFET®
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	105nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4560pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.4W（Ta），83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

商品其它信息

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