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FET，MOSFET - 单个
PMN42XPE,115参考图片

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PMN42XPE,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
46 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
17.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1410pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta），8.33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SC-74，SOT-457
商品其它信息
优势价格，PMN42XPE,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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