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FET，MOSFET - 单个

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TPC8021-H(TE12LQ,M

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	17 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	640pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

商品其它信息

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