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FET，MOSFET - 单个
SIB411DK-T1-E3参考图片

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SIB411DK-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
66 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
15nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
470pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），13W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SC-75-6L 单
封装/外壳
PowerPAK® SC-75-6L
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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