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FET，MOSFET - 单个
PMN25UN,115参考图片

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PMN25UN,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
27 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
470pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
530mW（Ta），6.25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SC-74，SOT-457
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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