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FET，MOSFET - 单个
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PMPB12UN,115

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 7.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
886pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DFN2020MD（2x2）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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