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FET,MOSFET - 单个
PSMN3R9-60XSQ参考图片

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PSMN3R9-60XSQ

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
103nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5494pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
商品其它信息
优势价格,PSMN3R9-60XSQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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