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FET，MOSFET - 单个
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FDB6670AS

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
62A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8.5 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
39nC @ 15V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1570pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AB
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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