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FET，MOSFET - 单个

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2N7639-GA

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
-
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A（Tc）（155°C）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
105 毫欧 @ 15A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1534pF @ 35V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
172W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-257
封装/外壳
TO-257-3
商品其它信息
优势价格，2N7639-GA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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