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FET，MOSFET - 单个
NVTFS5820NLWFTAG参考图片

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NVTFS5820NLWFTAG

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
28nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1462pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），21W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
商品其它信息
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