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FET，MOSFET - 单个

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JANSR2N7389

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
军用，MIL-PRF-19500/630
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
350 毫欧 @ 6.5A，12V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
45nC @ 12V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-205AF（TO-39）
封装/外壳
TO-205AF 金属罐
商品其它信息
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