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FET，MOSFET - 射频

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NE3210S01

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  • FET RF 4V 12GHZ S01
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
HFET
频率
12GHz
增益
13.5dB
电压 - 测试
2V
额定电流（安培）
15mA
噪声系数
0.35dB
电流 - 测试
10mA
功率 - 输出
-
电压 - 额定
4V
封装/外壳
4-SMD
供应商器件封装
SMD
商品其它信息
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