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FET,MOSFET - 阵列
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AO5804E

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
500mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
550 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
45pF @ 10V
功率 - 最大值
280mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SC-89-6
商品其它信息
优势价格,AO5804E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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