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FET，MOSFET - 阵列

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ALD1103SBL

制造商:Advanced Linear Devices Inc.
批号:最新
描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 N 和 2 P 沟道（双）配对
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	40mA，16mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	75 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10pF @ 5V
功率 - 最大值	500mW
工作温度	0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	14-SOIC

商品其它信息

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