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FET,MOSFET - 阵列

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KGF20N05D

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
最後搶購
FET 类型
2 N 沟道(双)共源
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
5.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tj)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.6 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
865pF @ 5V
功率 - 最大值
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
20-UFLGA,CSP
供应商器件封装
20-WLCSP(2.48x1.17)
商品其它信息
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