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FET，MOSFET - 阵列
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BSD840N L6327

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
880mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
400 毫欧 @ 880mA，2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
750mV @ 1.6µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.26nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
78pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-6
商品其它信息
优势价格，BSD840N L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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