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FET，MOSFET - 阵列
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CSD75207W15

  • Texas Instruments
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  • MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 P 沟道（双）共源
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
162 毫欧 @ 1A，1.8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
595pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
9-DSBGA
商品其它信息
优势价格，CSD75207W15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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