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FET,MOSFET - 阵列
NX1029X,115参考图片

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NX1029X,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V,50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
330mA,170mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
36pF @ 25V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
商品其它信息
优势价格,NX1029X,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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