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FET，MOSFET - 阵列
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HP8M31TB1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.5A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
12.3nC，38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
470pF，2300pF @ 30V
功率 - 最大值
3W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-HSOP
商品其它信息
优势价格，HP8M31TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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