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FET，MOSFET - 阵列
SI7252DP-T1-GE3参考图片

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SI7252DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
36.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1170pF @ 50V
功率 - 最大值
46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
商品其它信息
优势价格，SI7252DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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