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FET,MOSFET - 阵列
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TC8020K6-G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
6 N 和 6 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
56-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装
56-QFN(8x8)
商品其它信息
优势价格,TC8020K6-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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