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FET，MOSFET - 阵列
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IRFHM792TRPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
HEXFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
195 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
6.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
251pF @ 25V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3），Power33
商品其它信息
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