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FET,MOSFET - 阵列
CAS120M12BM2参考图片

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CAS120M12BM2

  • Cree/Wolfspeed
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
Z-Rec®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
193A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
16 毫欧 @ 120A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 6mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
378nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6300pF @ 1000V
功率 - 最大值
925W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,CAS120M12BM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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