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IGBT - 模块

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VS-GT200TP065N

制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
批号:最新
描述:IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	最後搶購
IGBT 类型	沟道
配置	半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	221A
功率 - 最大值	600W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.12V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）	60µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）	60µA
输入	标准
NTC 热敏电阻	无
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	INT-A-Pak
供应商器件封装	INT-A-PAK

商品其它信息

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