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IGBT - 模块
FF200R12KE3B2HOSA1参考图片

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FF200R12KE3B2HOSA1

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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
295A
功率 - 最大值
1050W
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
5mA
不同Vce 时的输入电容(Cies)
14nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,FF200R12KE3B2HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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