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JFET

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2SK879-GR(TE85L,F)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:JFET N-CH 0.1W USM
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	N 通道
漏源电压（Vdss）	N 通道
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2.6mA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值	2.6mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	400mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8.2pF @ 10V
电阻 - RDS（开）	8.2pF @ 10V
功率 - 最大值	100mW
工作温度	125°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SC-70，SOT-323
供应商器件封装	USM

商品其它信息

优势价格，2SK879-GR(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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