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UGBT、MOSFET - 单
IXYP20N65C3D1参考图片

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IXYP20N65C3D1

  • IXYS
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  • IGBT 650V 18A 50W TO220
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™，XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
105A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，20A
功率 - 最大值
200W
开关能量
430µJ（开），350µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/80ns
测试条件
400V，20A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
135ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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