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UGBT、MOSFET - 单
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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
M
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40µJ（开），136µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V，4A，47 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
商品其它信息
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