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UGBT、MOSFET - 单
FGH40T120SQDNL4参考图片

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FGH40T120SQDNL4

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
160A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.95V @ 15V，40A
功率 - 最大值
454W
开关能量
1.4mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
221nC
25°C 时 Td（开/关）值
46ns/220ns
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
166ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
商品其它信息
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