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UGBT、MOSFET - 单
MMIX1X200N60B3H1参考图片

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MMIX1X200N60B3H1

  • IXYS
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  • IGBT 600V 175A 520W SMPD
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™，XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
175A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1000A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.7V @ 15V，100A
功率 - 最大值
520W
开关能量
2.85mJ（开），2.9mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
315nC
25°C 时 Td（开/关）值
48ns/160ns
测试条件
360V，100A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
100ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装
24-SMPD
商品其它信息
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