您好！欢迎来到诚思涵芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
UGBT、MOSFET - 单
NGD8201BNT4G参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

NGD8201BNT4G

  • Littelfuse Inc.
  • 最新
  • IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *联系人：
  • *电话：
  • QQ：
  • *邮箱：
 公司名：  微信：
库存：31,526(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
430V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 4.5V，10A
功率 - 最大值
115W
开关能量
-
输入类型
逻辑
栅极电荷
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值
-/4µs
测试条件
300V，6.5A，1 千欧
反向恢复时间（trr）
300V，6.5A，1 千欧
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
优势价格，NGD8201BNT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGD4536TM
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 360V 125W DPAK
暂无价格
参考库存:36914
RJH60D2DPP-A0#T2
Renesas Electronics America
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 10A TO-220
暂无价格
参考库存:36922
FGA70N30TTU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 300V 201W TO3P
暂无价格
参考库存:36930
IRGI4062DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 22A 48W TO220AB
暂无价格
参考库存:36938
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
暂无价格
参考库存:36954
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳诚思涵科技有限公司

电话：0755-83015506

手机：15820783671

传真：0755-82815131

Email：sas1988@163.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室


微信联系我们

Copyright © 2010-2022 深圳诚思涵科技有限公司 粤ICP备16094610号