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UGBT、MOSFET - 单

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STGWT80V60F

制造商:STMicroelectronics
批号:最新
描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	240A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.3V @ 15V，80A
功率 - 最大值	469W
开关能量	1.8mJ（开），1mJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	448nC
25°C 时 Td（开/关）值	60ns/220ns
测试条件	400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P

商品其它信息

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