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UGBT、MOSFET - 单
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RGTH00TK65DGC11

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
72W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
94nC
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/143ns
测试条件
400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
225ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PFM
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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