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UGBT、MOSFET - 单
APT35GP120BG参考图片

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APT35GP120BG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 7®
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
96A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
140A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3.9V @ 15V,35A
功率 - 最大值
543W
开关能量
750µJ(开),680µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
150nC
25°C 时 Td(开/关)值
16ns/94ns
测试条件
600V,35A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
600V,35A,5 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
商品其它信息
优势价格,APT35GP120BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
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