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UGBT、MOSFET - 单
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APT44GA60BD30

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
78A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
130A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.5V @ 15V,26A
功率 - 最大值
337W
开关能量
409µJ(开),258µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
128nC
25°C 时 Td(开/关)值
16ns/84ns
测试条件
400V,26A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,26A,4.7 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
商品其它信息
优势价格,APT44GA60BD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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