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UGBT、MOSFET - 单
HGTD1N120BNS9A参考图片

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HGTD1N120BNS9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
5.3A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
6A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.9V @ 15V，1A
功率 - 最大值
60W
开关能量
70µJ（开），90µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
14nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/67ns
测试条件
960V，1A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
960V，1A，82 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
商品其它信息
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