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UGBT、MOSFET - 单
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APT50GT120LRDQ2G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
Thunderbolt IGBT®
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
106A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
694W
开关能量
2585µJ（开），1910µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
240nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/215ns
测试条件
800V，50A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
800V，50A，1 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264 [L]
商品其它信息
优势价格，APT50GT120LRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA15S120DF3
STMicroelectronics
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 15A TO247-3L
暂无价格
参考库存:44024
IRG4IBC20KDPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
暂无价格
参考库存:44032
IXSH24N60B
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 48A 150W TO247
暂无价格
参考库存:44040
IRGP6690DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 140A 483W TO247AC
暂无价格
参考库存:44048
NGTB25N120IHLWG
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IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
暂无价格
参考库存:44056
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