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STGWT40H65DFB

制造商:STMicroelectronics
批号:最新
描述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	160A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2V @ 15V，40A
功率 - 最大值	283W
开关能量	498µJ（开），363µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	210nC
25°C 时 Td（开/关）值	40ns/142ns
测试条件	400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	62ns
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P

商品其它信息

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