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UGBT、MOSFET - 单
SGW10N60RUFDTM参考图片

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SGW10N60RUFDTM

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 16A 75W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
16A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
30A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.8V @ 15V,10A
功率 - 最大值
75W
开关能量
141µJ(开),215µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/36ns
测试条件
300V,10A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
60ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
商品其它信息
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