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UGBT、MOSFET - 单
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IRG4IBC30FD

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20.3A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，17A
功率 - 最大值
45W
开关能量
630µJ（开），1.39mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
51nC
25°C 时 Td（开/关）值
42ns/230ns
测试条件
480V，17A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
42ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220AB 整包
商品其它信息
优势价格，IRG4IBC30FD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SGL5N150UFTU
ON Semiconductor
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