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UGBT、MOSFET - 单
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IRG6S320UTRRPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
330V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.65V @ 15V，24A
功率 - 最大值
114W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
46nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/89ns
测试条件
196V，12A，10 欧姆
反向恢复时间（trr）
196V，12A，10 欧姆
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格，IRG6S320UTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30WPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
暂无价格
参考库存:3043
IXSK30N60BD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 55A 200W TO264
暂无价格
参考库存:36810
FGB20N6S2
ON Semiconductor
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IGBT 600V 28A 125W TO263AB
暂无价格
参考库存:36818
IXXX160N65C4
IXYS
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IGBT 650V 290A 940W PLUS247
暂无价格
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APT30GP60LDLG
Microsemi Corporation
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暂无价格
参考库存:36834
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