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UGBT、MOSFET - 单

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NGB8206N

制造商:ON Semiconductor
批号:最新
描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	停產
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	390V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	1.9V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值	150W
开关能量	-
输入类型	逻辑
栅极电荷	逻辑
25°C 时 Td（开/关）值	-/5µs
测试条件	300V，9A，1 千欧，5V
反向恢复时间（trr）	300V，9A，1 千欧，5V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK

商品其它信息

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