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UGBT、MOSFET - 单
SGR2N60UFDTM参考图片

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SGR2N60UFDTM

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
2.4A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
10A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.6V @ 15V,1.2A
功率 - 最大值
25W
开关能量
30µJ(开),13µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
9nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/80ns
测试条件
300V,1.2A,200 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
300V,1.2A,200 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
D-Pak
商品其它信息
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